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  • 型号: PBSS4032SPN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS4032SPN,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4032SPN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4032SPN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4032SPN,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 5.7A, 4.8A 140MHz, 115MHz 2.3W Surface Mount 8-SO。您可以下载PBSS4032SPN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4032SPN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8SO两极晶体管 - BJT Dual +/-30V '+5.7A -5.7A 0.73W 140MHz

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4032SPN,115-

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产品型号

PBSS4032SPN,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

450mV @ 300mA,6A / 510mV @ 250mA,5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

250 @ 2A,2V / 150 @ 2A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

8-SO

其它名称

568-6400-1

功率-最大值

2.3W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

+ 5 V, - 5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

140 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

0.73 W

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5.7A,4.8A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

300

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

- 30 V, + 30 V

集电极连续电流

+ 5.7 A, - 5.7 A

频率-跃迁

140MHz,115MHz

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