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Datasheet下载- 型号： PBSS3515MB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS3515MB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS3515MB,315价格参考。NXP SemiconductorsPBSS3515MB,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 15V 500mA 280MHz 250mW 表面贴装 DFN1006B-3。您可以下载PBSS3515MB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS3515MB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PBSS3515MB,315 是一款双极型晶体管 (BJT)，属于单晶体管类别。该型号晶体管具有低饱和电压、高电流增益和快速开关特性，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 PBSS3515MB,315 可用于电源管理电路中，特别是在低压降稳压器（LDO）和直流-直流转换器中。其低饱和电压特性有助于提高效率，减少功率损耗，适合用于便携式设备、电池供电系统等对能效要求较高的应用。 2. 信号放大 该晶体管可用于音频放大器、射频（RF）信号放大器等场景。由于其高电流增益，能够在较低的输入信号下提供较大的输出电流，适用于需要高增益放大的场合。例如，在无线通信设备、音频设备中，它可以帮助增强信号强度，确保信号传输的稳定性和清晰度。 3. 开关应用 PBSS3515MB,315 的快速开关特性使其非常适合用作开关元件，尤其是在脉宽调制（PWM）控制器、电机驱动器和继电器控制电路中。它可以快速响应控制信号，实现高效的开关操作，同时保持较低的功耗。 4. 保护电路 在过流保护、短路保护等电路中，PBSS3515MB,315 可以作为关键元件。通过检测电流的变化，晶体管可以在异常情况下迅速切断电流路径，保护整个电路免受损坏。这种特性使得它在工业控制系统、汽车电子等领域有广泛应用。 5. 温度传感器 BJT 晶体管的基极-发射极电压（Vbe）与温度之间存在线性关系，因此 PBSS3515MB,315 也可用于温度传感电路中。通过测量 Vbe 的变化，可以间接获取温度信息，适用于需要精确温度监测的应用场景。 总之，PBSS3515MB,315 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、信号放大、开关控制、保护电路和温度传感等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 15V 0.5A 3DFN两极晶体管 - BJT 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS3515MB,315- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS3515MB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 25mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 10mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10519-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 280 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | SOT883B |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 590 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 15 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 15 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 25 mV |
| 集电极连续电流 | - 500 mA |
| 频率-跃迁 | 280MHz |
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