ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > PBSS302PZ,135
Datasheet下载- 型号： PBSS302PZ,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS302PZ,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS302PZ,135价格参考。NXP SemiconductorsPBSS302PZ,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 20V 5.5A 130MHz 2W 表面贴装 SOT-223。您可以下载PBSS302PZ,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS302PZ,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PBSS302PZ,135 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单型器件，广泛应用于多种电子设备和电路设计中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 PBSS302PZ,135 常用于电源管理电路中，特别是在低压差线性稳压器（LDO）和开关模式电源（SMPS）中。它能够有效地控制电流流动，确保电压稳定输出。其低饱和电压特性使其在电源转换效率方面表现出色，适用于便携式设备、消费电子产品等需要高效电源管理的应用。 2. 信号放大 该晶体管可以作为信号放大器使用，适用于音频设备、传感器信号处理等领域。它的高增益特性使得它可以放大微弱的输入信号，同时保持较低的噪声水平，确保信号的清晰度和准确性。 3. 开关应用 在开关应用中，PBSS302PZ,135 可以用作开关元件，控制负载的通断。例如，在继电器驱动、LED驱动、电机控制等场景中，它可以快速响应控制信号，实现高效的开关操作。其低导通电阻和快速开关速度有助于减少能量损耗，提高系统的整体性能。 4. 保护电路 该晶体管还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过监测电流的变化，PBSS302PZ,135 可以在检测到异常情况时迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。这种保护功能在工业控制系统、汽车电子等领域尤为重要。 5. 温度补偿 PBSS302PZ,135 具有良好的温度稳定性，因此可以在温度补偿电路中发挥作用。例如，在精密测量仪器或温度敏感的环境中，它可以与其他温度传感器配合使用，确保电路在不同温度条件下仍能保持稳定的性能。 6. 通信设备 在通信设备中，如无线模块、调制解调器等，PBSS302PZ,135 可以用于信号调理和功率放大。其高频特性使其能够在射频（RF）电路中提供稳定的性能，确保通信信号的可靠传输。 总之，PBSS302PZ,135 晶体管凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种应用场景，尤其在电源管理、信号放大、开关控制和保护电路等方面表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 20V 5.5A SOT-223两极晶体管 - BJT PNP 20V 5.5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS302PZ,135- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS302PZ,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 265mV @ 275mA，5.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2A，2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=9367 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-4180-6 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-4 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 at 0.5 A at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 at 0.5 A at 2 V, 250 at 1 A at 2 V, 200 at 2 A at 2 V, 150 at 4 A at 2 V, 100 at 7 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 零件号别名 | /T3 PBSS302PZ |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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