Datasheet下载- 型号： PBSM5240PFH,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | TRANS PNP/N CH 40V 1.8A 6HUSONMOSFET 40V 2A PNP Trans N-chan Trench MOSFET |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.8 A, 660 mA |
| Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PBSM5240PFH,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSM5240PFH,115 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W, 760 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| Qg-GateCharge | 0.89 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.89 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 340 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 580 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V, 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 4.5 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10514-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 晶体管类型 | PNP，N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-额定 | 40V PNP，30V N 通道 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with BISS |
| 额定电流 | 1.8A PNP，660mA N 通道 |
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