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Datasheet下载- 型号： PBSM5240PF,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PBSM5240PF,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSM5240PF,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSM5240PF,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSM5240PF,115封装/规格：晶体管 - 特殊用途， Transistor 负载开关 PNP，N 通道 40V PNP，30V N 通道 1.8A PNP，660mA N 通道 表面贴装 6-HUSON-EP（2x2）。您可以下载PBSM5240PF,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSM5240PF,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP N-CH SOT1118MOSFET BISS |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 660 mA |
| Id-连续漏极电流 | 660 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PBSM5240PF,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSM5240PF,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| Qg-GateCharge | 0.89 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.89 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 370 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 370 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-7527-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | SON-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 负载开关 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | PNP，N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-额定 | 40V PNP，30V N 通道 |
| 额定电流 | 1.8A PNP，660mA N 通道 |
