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PBLS2003D,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS2003D,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS2003D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS2003D,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 1A 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS2003D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBLS2003D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PBLS2003D,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V / 220 @ 500mA,2V |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | 568-7230-2 |
功率-最大值 | 600mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式,1 PNP |
标准包装 | 3,000 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V,20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA,1A |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA, 100nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | 185MHz |