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  • 型号: PBLS2002S,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS2002S,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS2002S,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS2002S,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBLS2002S,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBLS2002S,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP/NPN 8SO

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PBLS2002S,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 10mA,5V / 150 @ 2A,2V

供应商器件封装

8-SO

其它名称

568-7229-6

功率-最大值

1.5W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

晶体管类型

1 NPN 预偏压式,1 PNP

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

50V,20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA,3A

电流-集电极截止(最大值)

1µA, 100nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

4.7k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

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