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PBLS2001S,115产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 8SO开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS2001S,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PBLS2001S,115 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V / 150 @ 2A,2V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 568-7227-2 |
典型电阻器比率 | 1 at NPN |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms at NPN |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA at NPN, 3000 mA at PNP |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式,1 PNP |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1,000 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V,20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA,3A |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA, 100nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
配置 | Dual Dual Collector |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V at NPN, 20 V at PNP |
零件号别名 | PBLS2001S T/R |
频率-跃迁 | 100MHz |