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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 150V 2A SOT223两极晶体管 - BJT 150V 2A PNP HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBHV9215Z,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PBHV9215Z,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 350mV @ 400mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 1A,10V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SC-73 |
其它名称 | 568-6384-2 |
功率-最大值 | 1.45W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 35 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 1.45 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | - 4 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 150V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 180 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
集电极—基极电压VCBO | - 200 V |
集电极连续电流 | - 2 A |
频率-跃迁 | 35MHz |