ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > PBHV9050Z,115
Datasheet下载- 型号： PBHV9050Z,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBHV9050Z,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBHV9050Z,115价格参考￥1.02-￥1.02。NXP SemiconductorsPBHV9050Z,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 500V 250mA 50MHz 700mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载PBHV9050Z,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBHV9050Z,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PBHV9050Z,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单，具有多种应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 PBHV9050Z,115 常用于电源管理系统中，特别是在需要高效开关和低功耗的应用中。它可以作为开关元件，用于稳压器、DC-DC转换器等电路中，确保电压稳定并减少能量损耗。 2. 电机驱动 该晶体管适用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流电机等。它能够提供足够的电流驱动能力，同时保持较低的热损耗，确保电机运行稳定且效率高。 3. 信号放大 在音频设备和其他需要信号放大的应用中，PBHV9050Z,115 可以作为放大器使用。它能够将微弱的输入信号放大到足够驱动扬声器或其他负载的程度，同时保持低噪声和高线性度。 4. 保护电路 该晶体管还广泛应用于各种保护电路中，如过流保护、短路保护等。它可以在检测到异常电流时迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。 5. 消费电子 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，PBHV9050Z,115 可用于充电管理、背光控制等功能模块，确保设备的稳定性和安全性。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，该晶体管可以用于传感器接口、执行器驱动等场景。它的高可靠性和稳定性使其能够在恶劣环境下长期工作，满足工业自动化对精度和可靠性的要求。 7. 汽车电子 PBHV9050Z,115 在汽车电子系统中也有广泛应用，如车灯控制、电动座椅驱动、空调系统等。它能够在宽温度范围内稳定工作，适应汽车环境中的各种工况。 总之，PBHV9050Z,115 凭借其高性能和可靠性，在多个领域都有出色表现，是设计工程师在选择双极晶体管时的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP SOT223两极晶体管 - BJT Single PNP -500V -0.25A 700mW 550MHz |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBHV9050Z,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBHV9050Z,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 350mV @ 20mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 50mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-5575-2 |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 550 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 700 mW |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 500V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 250mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 500 V |
| 集电极连续电流 | - 0.25 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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