数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
P6SMB7.5AT3G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB7.5AT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB7.5AT3G价格参考。ON SemiconductorP6SMB7.5AT3G封装/规格:TVS - 二极管, 11.3V Clamp 53A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB。您可以下载P6SMB7.5AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有P6SMB7.5AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 7.5V 600W Unidirectional |
产品分类 | |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor P6SMB7.5AT3G- |
数据手册 | |
产品型号 | P6SMB7.5AT3G |
PCN组件/产地 | |
不同频率时的电容 | 2180pF @ 1MHz |
产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
供应商器件封装 | SMB |
其它名称 | P6SMB7.5AT3GOSCT |
击穿电压 | 7.13 V |
功率-峰值脉冲 | 600W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
封装/箱体 | DO-214AA |
尺寸 | 3.56 mm W x 4.32 mm L |
峰值浪涌电流 | 53 A |
峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
工作电压 | 6.4 V |
工厂包装数量 | 2500 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 7.13V |
电压-反向关态(典型值) | 6.4V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 11.3V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 53A (8/20µs) |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | P6SMB6.8AT3G |
钳位电压 | 11.3 V |