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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 53VWM 85VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 62V 600W Bidirectional |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor P6SMB62CAT3G- |
数据手册 | |
产品型号 | P6SMB62CAT3G |
不同频率时的电容 | 170pF @ 1MHz |
产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
供应商器件封装 | SMB |
其它名称 | P6SMB62CAT3GOSCT |
击穿电压 | 58.9 V |
功率-峰值脉冲 | 600W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单向通道 | - |
双向通道 | 1 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
封装/箱体 | DO-214AA |
尺寸 | 3.81(Max) mm W x 4.57 mm L |
峰值浪涌电流 | 7.1 A |
峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
工作电压 | 53 V |
工厂包装数量 | 2500 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
极性 | Bidirectional |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 58.9V |
电压-反向关态(典型值) | 53V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 85V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 7.1A (8/20µs) |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | P6SMB11CAT3G |
钳位电压 | 85 V |