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Datasheet下载- 型号： NX7002AKW,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX7002AKW,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX7002AKW,115价格参考。NXP SemiconductorsNX7002AKW,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 170mA（Ta） 220mW（Ta），1.06W（Tc） SOT-323-3。您可以下载NX7002AKW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX7002AKW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NX7002AKW,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (Switching Power Supplies) NX7002AKW,115 可用于设计高效能的开关电源，如 DC-DC 转换器、降压或升压电路。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高转换效率。 2. 负载开关 (Load Switch) 在便携式电子设备中，该 MOSFET 可作为负载开关使用，用于动态管理不同模块的供电状态，从而降低功耗并延长电池寿命。 3. 电机驱动 (Motor Drive) 此型号适用于小型直流电机驱动电路，能够控制电机的启动、停止和速度调节。其紧凑的设计适合嵌入式系统中的小型化需求。 4. 电池保护电路 (Battery Protection Circuit) NX7002AKW,115 可用于锂电池或其他可充电电池组的过流、短路保护电路中，确保电池在安全范围内工作。 5. 信号切换 (Signal Switching) 在音频、视频或其他信号处理系统中，这款 MOSFET 可用作信号切换元件，实现多路信号的选择与传输。 6. LED 驱动 (LED Driver) 它可以用于 LED 照明系统的驱动电路中，提供稳定的电流输出，同时支持调光功能。 7. 消费电子设备 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，该 MOSFET 常用于电源管理单元 (PMU) 和外围电路中，以优化功耗和性能。 8. 工业自动化 在工业控制领域，NX7002AKW,115 可用于传感器接口、继电器驱动以及简单的逻辑控制电路中。 总之，NX7002AKW,115 凭借其高性能、小尺寸和可靠性，广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子和工业控制等领域，尤其适合需要高效能和低功耗的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V SOT323MOSFET 60 V, single N-chan Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 170 mA |
| Id-连续漏极电流 | 170 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX7002AKW,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX7002AKW,115 |
| Pd-PowerDissipation | 1060 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.06 W |
| Qg-GateCharge | 0.33 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.33 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.43nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-10513-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 220mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 230 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 170mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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