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Datasheet下载- 型号： NX3020NAKW,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3020NAKW,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3020NAKW,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3020NAKW,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 180mA（Ta） 260mW（Ta），1.1W（Tc） SOT-323-3。您可以下载NX3020NAKW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3020NAKW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 NX3020NAKW,115 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 晶体管类别。它具有多种应用场景，特别是在需要高效、低损耗和快速开关特性的电路中表现优异。 应用场景： 1. 电源管理： - DC-DC 转换器：NX3020NAKW,115 适用于各种 DC-DC 转换器，如降压、升压或升降压转换器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高转换效率。 - 线性稳压器：在低压差线性稳压器（LDO）中，该 MOSFET 可用于旁路或负载开关，确保电流平稳传输并减少热量产生。 2. 电机控制： - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机驱动应用中，MOSFET 作为开关元件，能够精确控制电机的转速和方向。NX3020NAKW,115 的快速开关特性有助于提高电机的响应速度和效率。 - 步进电机驱动：在步进电机控制系统中，该 MOSFET 可用于实现微步进控制，提供更平滑的运动和更高的精度。 3. 电池管理系统（BMS）： - 电池保护电路：在电池管理系统中，MOSFET 用于充放电路径的控制，防止过充、过放和短路等问题。NX3020NAKW,115 的低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命。 - 均衡电路：在多节电池组中，该 MOSFET 可用于电池均衡电路，确保各节电池电压一致，提升整体系统的安全性和可靠性。 4. 消费电子设备： - 智能手机和平板电脑：在这些便携式设备中，MOSFET 用于电源管理和信号切换，确保设备在不同工作模式下的稳定运行。NX3020NAKW,115 的紧凑封装和高效性能使其成为理想选择。 - 笔记本电脑和其他便携式电子产品：类似的电源管理和信号切换功能也适用于笔记本电脑等设备，帮助优化功耗和性能。 5. 工业自动化： - 可编程逻辑控制器（PLC）：在工业自动化系统中，MOSFET 用于输入输出接口的开关控制，确保信号的可靠传输和处理。NX3020NAKW,115 的高可靠性和耐用性使其适合此类应用。 - 传感器接口：在传感器与控制系统之间的接口电路中，该 MOSFET 可用于信号放大和隔离，确保数据的准确性和稳定性。 总之，NX3020NAKW,115 在多个领域都有广泛的应用，特别是在需要高效能、低损耗和快速响应的电路设计中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323MOSFET NX3020NAKW/SC-70/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 180 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3020NAKW,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3020NAKW,115 |
| Pd-PowerDissipation | 260 mW |
| Pd-功率耗散 | 260 mW |
| Qg-GateCharge | 0.34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.34 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 48pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.44nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-10508-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.7 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 320 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 180 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180mA （Ta） |
| 配置 | Single |
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