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  • 型号: NX3020NAKW,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NX3020NAKW,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3020NAKW,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3020NAKW,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 180mA(Ta) 260mW(Ta),1.1W(Tc) SOT-323-3。您可以下载NX3020NAKW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NX3020NAKW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323MOSFET NX3020NAKW/SC-70/REEL7

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

180 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3020NAKW,115-

数据手册

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产品型号

NX3020NAKW,115

Pd-PowerDissipation

260 mW

Pd-功率耗散

260 mW

Qg-GateCharge

0.34 nC

Qg-栅极电荷

0.34 nC

RdsOn-漏源导通电阻

2.7 Ohms

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V

上升时间

5 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

48pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.44nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 欧姆 @ 100mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-10508-6

典型关闭延迟时间

34 ns

功率-最大值

260mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.7 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

320 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

180 mA

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

180mA (Ta)

配置

Single

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