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NX3020NAKT,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3020NAKT,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3020NAKT,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3020NAKT,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 180mA(Ta) 230mW(Ta),1.06W(Tc) SC-75。您可以下载NX3020NAKT,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NX3020NAKT,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NX3020NAKT,115是由NXP USA Inc.生产的单个MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于FET(场效应晶体管)类别。该型号的MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特性,适用于多种应用场景。 主要应用场景: 1. 电源管理: - NX3020NAKT,115常用于DC-DC转换器、线性稳压器和其他电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))可以减少功率损耗,提高效率,特别适合需要高效能电源转换的应用。 2. 电机控制: - 在小型电机驱动电路中,如无人机、机器人、电动工具等,该MOSFET可用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性有助于实现精确的电机控制,同时降低能耗。 3. 电池保护: - 该MOSFET可用于锂电池、铅酸电池等电池组的保护电路中,防止过充、过放、短路等情况发生。通过快速切断电流路径,确保电池的安全性和延长使用寿命。 4. 负载开关: - 在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,NX3020NAKT,115可以用作负载开关,控制不同模块的供电状态,从而实现节能和延长电池续航时间。 5. 信号切换: - 在通信设备、音频设备等需要高频信号切换的场合,该MOSFET能够提供稳定的信号传输,同时保持较低的噪声和失真。 6. 工业自动化: - 在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口等,该MOSFET可用于信号隔离、电平转换等任务,确保系统的稳定性和可靠性。 7. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车身控制模块、照明系统、座椅调节等,NX3020NAKT,115可以用于开关控制,确保各个部件的正常工作。 总之,NX3020NAKT,115凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域,为各种电路设计提供了高效的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 180MA SC-75MOSFET NX3020NAKT/SC-75/REEL7 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 180 mA |
Id-连续漏极电流 | 180 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3020NAKT,115- |
数据手册 | |
产品型号 | NX3020NAKT,115 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 230 mW |
Pd-功率耗散 | 230 mW |
Qg-GateCharge | 0.44 nC |
Qg-栅极电荷 | 0.44 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
上升时间 | 5 ns |
下降时间 | 17 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 48pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.44nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 欧姆 @ 100mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-75 |
其它名称 | 568-10506-1 |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
功率-最大值 | 230mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | SOT-416-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 320 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 180mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |