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Datasheet下载- 型号： NX3020NAKS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3020NAKS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3020NAKS,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3020NAKS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 180mA 375mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载NX3020NAKS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3020NAKS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 NX3020NAKS,115 是一款晶体管 - FET，MOSFET 阵列。这款器件主要应用于需要高效、低功耗和高可靠性的电路设计中，特别是在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。 应用场景： 1. 电源管理： - NX3020NAKS,115 适用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够提供高效的开关性能，减少能量损耗，提高整体系统的能效。 2. 负载开关： - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中，该器件可用作负载开关，实现对不同功能模块的快速启停控制，从而延长电池寿命。 3. 电机驱动： - 用于小型电机驱动，如风扇、泵或步进电机。其低导通电阻特性有助于减少发热，提升电机运行效率。 4. 信号切换： - 在通信设备中，该MOSFET阵列可用于信号路径的切换，确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. ESD保护： - 在敏感电路中，NX3020NAKS,115 可作为静电放电（ESD）保护元件，防止瞬态电压对后续电路造成损害。 6. 多路复用/解复用： - 在数据采集系统或多通道应用中，该器件可以实现多路信号的选择与切换，简化电路设计并降低成本。 7. 汽车电子： - 在汽车电子系统中，如车身控制模块（BCM）、娱乐系统和传感器接口等，该器件凭借其高可靠性和耐高温特性，能够在严苛的工作环境中保持稳定工作。 8. 工业自动化： - 在工业控制系统中，如PLC、变频器等，该MOSFET阵列可用于驱动继电器、电磁阀等执行机构，保证系统的响应速度和精度。 总之，NX3020NAKS,115 凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，在多种应用场景中发挥着重要作用，是现代电子设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOPMOSFET NX3020NAKS/SC-88/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 mA |
| Id-连续漏极电流 | 180 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3020NAKS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3020NAKS,115 |
| Pd-PowerDissipation | 1100 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| Qg-GateCharge | 0.34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 48pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.44nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-10505-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | TSSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 320 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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