Datasheet下载- 型号： NX3008PBKV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008PBKV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008PBKV,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3008PBKV,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NX3008PBKV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3008PBKV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NX3008PBKV,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号的 MOSFET 阵列主要应用于低电压、低功耗的场景，适合需要高效能和小型化设计的电子设备。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - NX3008PBKV,115 可用于 DC-DC 转换器、负载开关和低压降稳压器（LDO）中，实现高效的电源管理。 - 适用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电池管理模块。 2. 信号切换 - 在多路复用器/解复用器中，该器件可用于信号切换，支持音频、视频或数据信号的快速切换。 - 适用于 USB-C、HDMI 和其他高速接口的信号路径控制。 3. 电机驱动与控制 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供精确的电流控制和方向切换。 - 适用于智能家居设备、玩具、无人机等领域的电机控制。 4. 保护电路 - 提供过流保护、短路保护和热关断功能，确保系统在异常情况下安全运行。 - 适用于充电器、适配器和其他电源相关产品的保护电路设计。 5. 消费电子设备 - 广泛应用于消费电子产品，如笔记本电脑、游戏机、音响设备等，用于功率分配和信号处理。 - 其小尺寸封装使其非常适合对空间要求严格的设备。 6. 工业与汽车应用 - 在工业自动化领域，可用于传感器接口、继电器替代和信号隔离。 - 在汽车电子中，可用于车内照明、风扇控制和信息娱乐系统的电源管理。 总结 NX3008PBKV,115 的低导通电阻、高开关速度和紧凑封装特性，使其成为低功耗、高性能应用的理想选择。无论是消费电子、工业控制还是汽车电子领域，这款 MOSFET 阵列都能提供可靠的性能和灵活性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666MOSFET 30V 220 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 220 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 220 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008PBKV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3008PBKV,115 |
| Pd-PowerDissipation | 1090 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.09 W |
| Qg-GateCharge | 0.55 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.55 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.9 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-10502-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 160 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 220 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 220mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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