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型号： NX3008PBKS,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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NX3008PBKS,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008PBKS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008PBKS,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3008PBKS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 200mA 445mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载NX3008PBKS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3008PBKS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOPMOSFET 30V 200 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	- 200 mA
Id-连续漏极电流	- 200 mA
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008PBKS,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NX3008PBKS,115
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	445 mW
Pd-功率耗散	445 mW
Qg-GateCharge	0.55 nC
Qg-栅极电荷	0.55 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.8 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	2.8 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 30 V
Vds-漏源极击穿电压	- 30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
上升时间	30 ns
下降时间	38 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	46pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	0.75nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	6-TSSOP
其它名称	568-10500-1
功率-最大值	445mW
包装	剪切带（CT）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装/箱体	SC-88
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	200mA
配置	Dual