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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V TO-236ABMOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 230 mA |
Id-连续漏极电流 | - 230 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008PBK,215- |
数据手册 | |
产品型号 | NX3008PBK,215 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 420 mW |
Pd-功率耗散 | 420 mW |
Qg-GateCharge | 0.55 nC |
Qg-栅极电荷 | 0.55 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.9 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.9 V |
上升时间 | 30 ns |
下降时间 | 38 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.72nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.1 欧姆 @ 200mA,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-10499-2 |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 2.8 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 160 mS |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | - 230 mA |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 230mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |