Datasheet下载- 型号： NX3008PBK,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008PBK,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008PBK,215价格参考。NXP SemiconductorsNX3008PBK,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NX3008PBK,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3008PBK,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 NX3008PBK,215 是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型器件。以下是其可能的应用场景： 1. 电源管理 - NX3008PBK,215 可用于低功耗开关应用，例如 DC-DC 转换器、线性稳压器和负载开关。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功率损耗，提高效率。 - 在电池供电设备中，如移动设备、便携式电子设备，该 MOSFET 可用于电池保护电路或电量管理。 2. 信号切换 - 该器件适用于需要快速开关信号的场景，例如音频信号切换、传感器信号切换或数据线路切换。 - 在通信设备中，可用于射频 (RF) 开关或天线切换。 3. 电机控制 - 在小型直流电机驱动中，NX3008PBK,215 可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于家用电器中的风扇控制、玩具电机驱动等。 4. 负载保护 - 可用于过流保护、短路保护和热保护电路中，确保系统在异常情况下安全运行。 - 在汽车电子中，可用于车载电子设备的负载保护，例如车灯控制、雨刷电机驱动等。 5. 消费电子 - 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，该 MOSFET 可用于 USB 端口保护、充电管理以及外围设备的电源控制。 6. 工业应用 - 在工业自动化领域，可用于继电器驱动、电磁阀控制或其他低功率开关应用。 - 在 LED 照明系统中，可用作驱动开关，实现调光功能或电流控制。 特性优势： - 低导通电阻：减少功率损耗，适合高效能应用。 - 小封装尺寸：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 - 高可靠性：适合长时间运行的工业和消费类应用。 总结来说，NX3008PBK,215 广泛应用于需要高效、低功耗开关操作的场景，特别是在消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V TO-236ABMOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 230 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 230 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008PBK,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3008PBK,215 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 420 mW |
| Pd-功率耗散 | 420 mW |
| Qg-GateCharge | 0.55 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.55 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.9 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-10499-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 160 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 230 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 230mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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