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Datasheet下载- 型号： NX3008NBKV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008NBKV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008NBKV,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3008NBKV,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 400mA 500mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载NX3008NBKV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3008NBKV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 NX3008NBKV,115 是一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列型号，广泛应用于各种电子设备中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 NX3008NBKV,115 常用于电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。此外，该器件的快速开关特性使得它在高频开关电源应用中表现出色，能够有效降低电磁干扰（EMI）。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中，NX3008NBKV,115 可以作为驱动信号的开关元件，控制电机的启动、停止和转速调节。其高电流承载能力和快速响应速度使其特别适合用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机的驱动电路中。 3. 负载切换 该器件也常用于负载切换电路中，例如在汽车电子系统中，用于控制车灯、雨刷器、空调等设备的开关。NX3008NBKV,115 的低导通电阻可以减少发热，延长使用寿命，同时其高耐压特性确保了在复杂电气环境中的稳定性。 4. 电池保护 在电池管理系统中，NX3008NBKV,115 可以用于电池充放电保护电路。通过精确控制充电和放电路径，防止过充、过放、短路等异常情况，从而保护电池的安全性和延长电池寿命。 5. 通信设备 在通信设备中，NX3008NBKV,115 可用于信号调理电路，如射频（RF）前端模块中的开关控制。其低寄生电容和快速开关特性有助于提高信号传输的质量和稳定性，减少信号失真。 6. 消费电子产品 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，NX3008NBKV,115 可用于电源管理和音频放大器等电路中。其紧凑的封装形式和高效能特点使其非常适合用于空间有限且对功耗要求较高的便携式设备。 总之，NX3008NBKV,115 凭借其优异的性能和广泛的适用性，在多个领域都有出色的表现，特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的应用场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666MOSFET 30V 400 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 400 mA |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008NBKV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3008NBKV,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 390 mW |
| Pd-功率耗散 | 390 mW |
| Qg-GateCharge | 0.52 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.52 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.68nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-10315-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 310 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 400mA |
| 配置 | Dual |
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