ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > NX3008NBKS,115
Datasheet下载- 型号： NX3008NBKS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008NBKS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008NBKS,115价格参考￥0.20-￥0.20。NXP SemiconductorsNX3008NBKS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 350mA 445mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载NX3008NBKS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3008NBKS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 NX3008NBKS,115 是一款晶体管 - FET，MOSFET 阵列。这款器件具有多个应用场景，特别是在需要高效、紧凑和低功耗解决方案的电子设备中。 主要应用场景 1. 电源管理： - NX3008NBKS,115 可用于各种电源管理电路中，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高转换效率。 - 在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于保护电路，防止过流、短路等问题。 2. 信号切换： - 该 MOSFET 阵列适用于需要快速切换信号的应用，如音频放大器、数据通信设备中的信号路径控制等。其低电容和快速开关速度使其在高频应用中表现出色。 3. 负载开关： - 在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，NX3008NBKS,115 可用作负载开关，实现对不同负载的精确控制，从而延长电池寿命并提高系统的可靠性。 4. 电机驱动： - 在小型电机驱动应用中，如无人机、机器人等，该器件可以用于控制电机的速度和方向。其低导通电阻有助于减少发热，提高电机驱动的效率。 5. LED 驱动： - 在 LED 照明系统中，NX3008NBKS,115 可用于调光控制和电流调节，确保 LED 的亮度稳定且节能。其低功耗特性特别适合于大功率 LED 驱动器。 6. 工业自动化： - 在工业控制系统中，该 MOSFET 阵列可用于传感器接口、继电器驱动等场合，提供可靠的开关功能。其紧凑的封装形式使得它非常适合空间有限的工业设备。 7. 消费电子产品： - 在各种消费电子产品中，如智能家居设备、智能手表等，NX3008NBKS,115 可以用于电源管理和信号处理，确保设备的高效运行和长续航。 总结 NX3008NBKS,115 凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，在多种应用场景中展现出广泛的应用潜力。无论是电源管理、信号切换还是电机驱动，该器件都能提供高效、可靠且节能的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOPMOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 350 mA |
| Id-连续漏极电流 | 350 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008NBKS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3008NBKS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 990 mW |
| Pd-功率耗散 | 990 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.68nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-10407-1 |
| 功率-最大值 | 445mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 350 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 350mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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