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  • 型号: NX1029X,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NX1029X,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX1029X,115价格参考。NXP SemiconductorsNX1029X,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NX1029X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NX1029X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch Trench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX1029X,115-

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产品型号

NX1029X,115

Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

Qg-GateCharge

0.2 nC, 0.12 nC

Qg-栅极电荷

0.2 nC, 0.12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V, - 50 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V, - 50 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.6 V, - 1.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.6 V, - 1.6 V

上升时间

6 ns, 11 ns

下降时间

7 ns, 25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

36pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.35nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5 欧姆 @ 100mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

568-10494-1

典型关闭延迟时间

12 ns, 48 ns

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-666-6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

550 mS, 150 mS

汲极/源极击穿电压

- 60 V, - 50 V

漏极连续电流

5 A

漏源极电压(Vdss)

60V,50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

330mA, 170mA

通道模式

Enhancement

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