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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch Trench MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX1029X,115- |
数据手册 | |
产品型号 | NX1029X,115 |
Pd-PowerDissipation | 500 mW |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
Qg-GateCharge | 0.2 nC, 0.12 nC |
Qg-栅极电荷 | 0.2 nC, 0.12 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V, - 50 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V, - 50 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V, - 1.6 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V, - 1.6 V |
上升时间 | 6 ns, 11 ns |
下降时间 | 7 ns, 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.35nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 欧姆 @ 100mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 568-10494-1 |
典型关闭延迟时间 | 12 ns, 48 ns |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 1 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-666-6 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 550 mS, 150 mS |
汲极/源极击穿电压 | - 60 V, - 50 V |
漏极连续电流 | 5 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V,50V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 330mA, 170mA |
通道模式 | Enhancement |