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Datasheet下载- 型号： NVTFS5116PLTAG
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVTFS5116PLTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTFS5116PLTAG价格参考￥2.05-￥2.05。ON SemiconductorNVTFS5116PLTAG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 6A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）。您可以下载NVTFS5116PLTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVTFS5116PLTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVTFS5116PLTAG是由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于增强型N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 NVTFS5116PLTAG常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器等电源管理系统中。它能够高效地进行电流切换，降低导通电阻，从而减少能量损耗，提高电源转换效率。特别是在笔记本电脑、智能手机充电器等便携式设备的电源设计中，该MOSFET的应用可以显著提升能效。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，NVTFS5116PLTAG可用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流和电压波动，确保电机运行的稳定性和可靠性。适用于电动工具、家用电器（如洗衣机、空调）以及工业自动化设备中的电机控制系统。 3. 电池管理系统 该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS），用于监控和控制电池的充放电过程。它可以快速响应电池状态的变化，防止过充、过放和短路等问题，延长电池寿命并提高安全性。例如，在电动汽车、储能系统和便携式电子产品中，NVTFS5116PLTAG可以帮助实现高效的电池管理。 4. 逆变器和变频器 在逆变器和变频器中，NVTFS5116PLTAG可以用于将直流电转换为交流电或调节交流电的频率。它能够在高频条件下保持较低的开关损耗，适合太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和工业变频器等应用。 5. 保护电路 NVTFS5116PLTAG还可以用作保护电路中的关键元件，如过流保护、短路保护和过温保护等。它的低导通电阻和高耐压特性使其能够在恶劣的工作环境中提供可靠的保护功能，确保系统的安全运行。 综上所述，NVTFS5116PLTAG凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、逆变器和保护电路等领域，是现代电力电子系统中不可或缺的重要元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFNMOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 14 A |
| Id-连续漏极电流 | - 14 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVTFS5116PLTAG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVTFS5116PLTAG |
| Pd-PowerDissipation | 21 W |
| Pd-功率耗散 | 21 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 52 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1258pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 52 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 功率耗散 | 21 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 52 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WDFN-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
| 系列 | NVTFS5116PL |
| 配置 | Single |
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