ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NVTFS5116PLTAG
Datasheet下载- 型号： NVTFS5116PLTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVTFS5116PLTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTFS5116PLTAG价格参考￥2.05-￥2.05。ON SemiconductorNVTFS5116PLTAG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 6A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）。您可以下载NVTFS5116PLTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVTFS5116PLTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFNMOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 14 A |
| Id-连续漏极电流 | - 14 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVTFS5116PLTAG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVTFS5116PLTAG |
| Pd-PowerDissipation | 21 W |
| Pd-功率耗散 | 21 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 52 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1258pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 52 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 功率耗散 | 21 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 52 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WDFN-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
| 系列 | NVTFS5116PL |
| 配置 | Single |
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