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  • 型号: NVMFS5885NLT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFS5885NLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFS5885NLT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFS5885NLT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVMFS5885NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVMFS5885NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 39A SO8FLMOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

39 A

Id-连续漏极电流

39 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVMFS5885NLT1G-

数据手册

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产品型号

NVMFS5885NLT1G

Pd-PowerDissipation

54 W

Pd-功率耗散

54 W

Qg-GateCharge

21 nC

Qg-栅极电荷

21 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

15.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

15.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.5 V

上升时间

64 ns

下降时间

52 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1340pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

15 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

*

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

3.7W

功率耗散

54 W

包装

*

商标

ON Semiconductor

安装类型

*

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

15.2 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

*

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

21 nC

标准包装

1,500

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

39 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10.2A (Ta)

系列

NVMFS5885NL

配置

Single Quad Drain Triple Source

闸/源击穿电压

20 V

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