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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 29A SO8FL |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFD5873NLWFT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1560pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A |