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型号： NVMFD5853NLT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFD5853NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFD5853NLT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFD5853NLT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 40V 12A 3W 表面贴装 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）。您可以下载NVMFD5853NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFD5853NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NVMFD5853NLT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款晶体管阵列，具体类型为 FET 和 MOSFET。这款器件在多种应用场景中具有广泛的应用价值，特别是在需要高效能、低功耗和高集成度的电路设计中。

 主要应用场景

1. 电源管理：
   NVMFD5853NLT1G 适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、开关电源 (SMPS) 和线性稳压器。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其成为这些应用的理想选择。它可以有效地减少功率损耗，提高转换效率，同时保持较小的封装尺寸，适合紧凑型设计。

2. 电机控制：
   在电机驱动和控制电路中，NVMFD5853NLT1G 可用于实现高效的 H 桥或半桥配置。它能够承受较高的电流和电压波动，确保电机运行的稳定性和可靠性。此外，其低导通电阻有助于降低发热，延长设备寿命。

3. 电池管理系统 (BMS)：
   该器件适用于电池管理系统中的充放电控制和保护电路。它可以精确地控制电流流向，防止过充、过放和其他异常情况的发生。其低静态电流特性有助于延长电池的续航时间。

4. 消费电子：
   在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，NVMFD5853NLT1G 可用于电源开关、负载开关和 USB 充电端口保护。其小尺寸和高性能使其非常适合便携式设备的设计要求。

5. 工业自动化：
   在工业自动化系统中，该器件可用于驱动传感器、执行器和其他外围设备。其高可靠性和耐用性确保了长时间稳定运行，减少了维护成本。

6. 汽车电子：
   NVMFD5853NLT1G 还适用于汽车电子系统中的各种应用，如车身控制模块、电动助力转向 (EPS) 和车载充电器。其符合 AEC-Q101 标准，确保了在严苛环境下的可靠性能。

总之，NVMFD5853NLT1G 凭借其优异的电气性能和紧凑的封装，广泛应用于电源管理、电机控制、电池管理、消费电子、工业自动化和汽车电子等领域，为各类电路设计提供了高效、可靠的解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 40V 29A SO8FL
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NVMFD5853NLT1G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1100pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	23nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	10 毫欧 @ 15A，10V
供应商器件封装	*
功率-最大值	3W
包装	*
安装类型	*
封装/外壳	*
标准包装	1,500
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A