ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > NVMD6N04R2G
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMD6N04R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMD6N04R2G价格参考。ON SemiconductorNVMD6N04R2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 40V 4.6A 1.29W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NVMD6N04R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVMD6N04R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NVMD6N04R2G是一款晶体管阵列,具体为MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)阵列。它主要应用于需要多个MOSFET协同工作的电路设计中,适用于多种应用场景,特别是在电源管理和信号切换方面表现出色。 应用场景: 1. 电源管理: NVMD6N04R2G可以用于各种电源管理电路,如DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、开关电源(SMPS)等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高效率。此外,该器件的耐压能力(Vds = 60V)使其适合在中低压环境下工作,例如汽车电子、工业控制和消费电子产品中的电源部分。 2. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中,NVMD6N04R2G可以作为驱动级的一部分,用于控制电机的启动、停止和速度调节。由于其具备多通道MOSFET阵列结构,可以同时控制多个电机或实现更复杂的驱动逻辑,如H桥驱动。 3. 信号切换与保护: NVMD6N04R2G可用于信号切换电路,例如在通信设备、传感器接口和其他需要高速信号切换的应用中。其快速开关特性和低电容特性使得它可以有效地处理高频信号,同时提供过流和短路保护功能,确保系统安全可靠运行。 4. 负载开关: 该器件还适用于负载开关应用,如USB端口保护、电源分配网络中的负载隔离等。通过集成多个MOSFET,NVMD6N04R2G可以在不影响性能的前提下简化电路设计,减少外部元件数量,从而降低整体成本并提高可靠性。 总之,NVMD6N04R2G凭借其紧凑的设计、优异的电气性能以及广泛的应用适应性,在现代电子系统中扮演着重要角色,尤其适合对空间和功耗有严格要求的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 4.6A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMD6N04R2G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | * |
标准包装 | 2,500 |