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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMD6N04R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMD6N04R2G价格参考。ON SemiconductorNVMD6N04R2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 40V 4.6A 1.29W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NVMD6N04R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVMD6N04R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVMD6N04R2G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 650V 碳化硅 (SiC) MOSFET,适用于高频、高效能的电力电子应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和高耐压等特点,使其在多种应用场景中表现出色。 应用场景: 1. 光伏逆变器: NVMD6N04R2G 的高耐压和低损耗特性使其非常适合用于光伏逆变器中的DC-AC转换电路。碳化硅MOSFET能够承受更高的工作温度,减少热管理需求,并提高系统的整体效率和可靠性。 2. 电动汽车 (EV) 充电桩: 在电动汽车充电桩中,NVMD6N04R2G 可以用于功率因数校正 (PFC) 和 DC-DC 转换器部分。其快速开关特性和高耐压能力有助于实现高效的能量传输,同时减小系统尺寸和重量。 3. 工业电源: NVMD6N04R2G 适用于工业电源中的 AC-DC 和 DC-DC 转换器。它能够有效降低开关损耗,提高电源转换效率,尤其在高频开关应用中表现优异,从而减少热量产生并延长设备寿命。 4. 不间断电源 (UPS): 在 UPS 系统中,NVMD6N04R2G 可以用于逆变器和电池充电电路。其快速响应时间和低导通电阻有助于提供稳定的输出电压,确保关键负载在电网故障时持续运行。 5. 电机驱动: NVMD6N04R2G 也适用于高性能电机驱动器中的逆变器模块。其高耐压和低损耗特性可以提高电机驱动的效率,减少发热,延长电机使用寿命,并支持更复杂的控制算法。 6. 储能系统 (ESS): 在储能系统中,NVMD6N04R2G 可用于双向 DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器。其高效率和可靠性有助于优化能量管理和延长电池寿命,同时支持快速充放电循环。 总之,NVMD6N04R2G 的高性能和可靠性使其成为多种电力电子应用的理想选择,特别是在需要高效能、高频开关和高温操作环境的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 4.6A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMD6N04R2G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | * |
标准包装 | 2,500 |