图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NVLJD4007NZTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVLJD4007NZTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVLJD4007NZTAG价格参考。ON SemiconductorNVLJD4007NZTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVLJD4007NZTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVLJD4007NZTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 245MA WDFN6MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 245 mA |
| Id-连续漏极电流 | 245 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVLJD4007NZTAG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVLJD4007NZTAG |
| Pd-PowerDissipation | 755 mW |
| Pd-功率耗散 | 755 mW |
| Qg-GateCharge | 0.75 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.75 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 41 ns |
| 下降时间 | 72 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.75nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 欧姆 @ 125mA， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 96 ns |
| 功率-最大值 | 755mW |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | WDFN-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 245 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 245mA |
| 系列 | NVLJD4007NZ |
| 配置 | Dual |
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