ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NVD5803NT4G
Datasheet下载- 型号： NVD5803NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5803NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5803NT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5803NT4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 85A（Tc） 83W（Tc） DPAK。您可以下载NVD5803NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5803NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD5803NT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的电流处理能力，因此适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用领域： 1. 电源管理 - 用于 DC-DC 转换器中的开关元件，支持高效的电压转换。 - 在降压或升压转换器中充当功率开关，提供稳定的输出电压。 - 适合作为负载开关，控制电路的通断以降低功耗。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中作为功率级开关。 - 用于 H 桥电路或半桥电路，实现电机的正转、反转及调速功能。 3. 电池管理 - 在电池保护电路中，用于防止过充、过放或短路。 - 用作电池组的均衡开关，确保各节电池电压一致。 4. 工业自动化 - 用于固态继电器（SSR）设计，替代传统机械继电器。 - 在 PLC（可编程逻辑控制器）输出模块中作为信号驱动元件。 5. 消费类电子产品 - 应用于充电器、适配器等便携式设备的功率转换部分。 - 用于音频放大器的功率输出级，提高效率并减少热量。 6. 通信设备 - 在基站电源或网络设备中作为功率开关，保证高效能运行。 - 用于信号调节电路，提供快速响应和低损耗特性。 7. 汽车电子 - 在车载电子系统中，如电动窗、座椅调节、雨刷等的驱动电路。 - 用于 LED 照明系统的恒流驱动，确保亮度稳定。 NVD5803NT4G 的低 Rds(on) 和高耐压特性使其能够在高电流和高频应用中表现出色，同时其紧凑的封装形式（如 DPAK 或 SO-8）也便于在空间受限的设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 85A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NVD5803NT4G |
| rohs | 无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 85A （Tc） |
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