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  • 型号: NVB5860NLT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NVB5860NLT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVB5860NLT4G价格参考。ON SemiconductorNVB5860NLT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVB5860NLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVB5860NLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 169A D2PAKMOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

220 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVB5860NLT4G-

数据手册

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产品型号

NVB5860NLT4G

Pd-PowerDissipation

283 W

Pd-功率耗散

283 W

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

60 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13216pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

220nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

*

典型关闭延迟时间

98 ns

功率-最大值

283W

包装

*

商标

ON Semiconductor

安装类型

*

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.8 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

*

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

220 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

220A (Ta)

系列

NVB5860NL

配置

Single Dual Drain

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