Datasheet下载- 型号： NUD3105LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NUD3105LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NUD3105LT1G价格参考。ON SemiconductorNUD3105LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NUD3105LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NUD3105LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | IC INDCT LOAD/RELAY DRVR SOT23MOSFET 8V Inductive Load |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 500 mA |
| Id-连续漏极电流 | 500 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NUD3105LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NUD3105LT1G |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms at 5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 6 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 6 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| 上升时间 | 32 ns, 30 ns |
| 下降时间 | 32 ns, 30 ns |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NUD3105LT1GOS |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 900 毫欧 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 6 V |
| 漏极连续电流 | 500 mA |
| 电压-电源 | 6V |
| 电流-峰值输出 | 500mA |
| 电流-输出/通道 | 400mA |
| 类型 | 低端 |
| 系列 | NUD3105 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 6 V |
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