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Datasheet下载- 型号： NTZS3151PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTZS3151PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTZS3151PT1G价格参考。ON SemiconductorNTZS3151PT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 860mA（Ta） 170mW（Ta） SOT-563。您可以下载NTZS3151PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTZS3151PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NTZS3151PT1G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 NTZS3151PT1G常用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器和开关电源。其低导通电阻（Rds(on)）可以减少功率损耗，提高效率。特别适合需要高效能和小尺寸设计的应用，例如便携式设备、笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路。 2. 电机控制 在小型电机驱动和控制系统中，NTZS3151PT1G可以用作功率开关，控制电机的启动、停止和调速。由于其快速开关特性和低功耗，能够有效降低电机驱动中的能量损失，提升系统的响应速度和稳定性。 3. 负载切换 该MOSFET适用于负载切换应用，如USB端口保护、电池管理系统（BMS）等。它可以在短时间内快速切断或接通电流路径，防止过流、短路等异常情况对系统造成损害。同时，其低导通电阻有助于减少热损耗，延长设备使用寿命。 4. 信号切换 在信号处理和通信系统中，NTZS3151PT1G可用于高速信号切换。其快速开关速度和低电容特性使得它可以有效地在不同信号源之间进行切换，确保信号的完整性和可靠性。 5. 消费电子 在消费电子产品中，如智能家居设备、可穿戴设备和音频设备中，NTZS3151PT1G可以作为功率管理和信号切换的关键组件。它的紧凑封装和低功耗特性使其非常适合对空间和能耗有严格要求的小型化产品。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，NTZS3151PT1G可以用于传感器接口、执行器控制和PLC（可编程逻辑控制器）的电源管理模块。其稳定性和可靠性能够满足工业环境下的严苛要求。 总之，NTZS3151PT1G凭借其优异的性能和广泛的适用性，在电力电子、消费电子、工业自动化等领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563MOSFET -20V -950mA P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 950 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 950 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTZS3151PT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTZS3151PT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.17 W |
| Pd-功率耗散 | 170 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 195 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 195 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 458pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NTZS3151PT1GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 23.7 ns |
| 功率-最大值 | 170mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 860mA （Ta） |
| 系列 | NTZS3151P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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