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Datasheet下载- 型号： NTZD3155CT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTZD3155CT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTZD3155CT1G价格参考。ON SemiconductorNTZD3155CT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 540mA，430mA 250mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载NTZD3155CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTZD3155CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTZD3155CT1G是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管阵列，具体为FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。该型号的应用场景非常广泛，尤其适用于需要高效率、低功耗和紧凑设计的电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：NTZD3155CT1G常用于各种电源管理电路中，如开关电源、DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够提供高效的电流控制和快速的开关特性，有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。 2. 电机驱动：在小型电机驱动应用中，如步进电机、直流电机和无刷直流电机，NTZD3155CT1G可以作为驱动电路中的关键元件。其低导通电阻和快速响应能力，使得电机运行更加平稳高效。 3. 信号切换与保护：该器件可用于信号切换电路，实现不同信号路径之间的快速切换。此外，在过流保护、短路保护等电路中，NTZD3155CT1G也能发挥重要作用，确保系统安全稳定运行。 4. 消费电子产品：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，NTZD3155CT1G可用于电池充电管理、屏幕背光控制、音频放大等功能模块，提供高性能且稳定的性能支持。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等场合，NTZD3155CT1G凭借其优异的电气特性和可靠性，成为理想的选型之一。 总之，NTZD3155CT1G以其出色的性能特点，在众多领域展现出广泛应用潜力，特别是在对功率密度要求较高的便携式设备及工业应用方面表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 430MA SOT-563MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 540 mA |
| Id-连续漏极电流 | 540 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTZD3155CT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTZD3155CT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.25 W |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms at 4.5 V at N Channel, 900 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms, 900 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| 上升时间 | 4 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 4 ns, 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NTZD3155CT1GOSTR |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns, 35 ns |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 0.25 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 550 mOhms at 4.5 V at N Channel, 900 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 540 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 540mA，430mA |
| 系列 | NTZD3155C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
| 闸/源击穿电压 | +/- 6 V |
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