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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTZD3155CT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTZD3155CT1G价格参考。ON SemiconductorNTZD3155CT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 540mA,430mA 250mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载NTZD3155CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTZD3155CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 430MA SOT-563MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 540 mA |
Id-连续漏极电流 | 540 mA |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTZD3155CT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTZD3155CT1G |
Pd-PowerDissipation | 0.25 W |
Pd-功率耗散 | 250 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms at 4.5 V at N Channel, 900 mOhms at 4.5 V at P Channel |
RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms, 900 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
上升时间 | 4 ns, 12 ns |
下降时间 | 4 ns, 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | NTZD3155CT1GOSTR |
典型关闭延迟时间 | 16 ns, 35 ns |
功率-最大值 | 250mW |
功率耗散 | 0.25 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 550 mOhms at 4.5 V at N Channel, 900 mOhms at 4.5 V at P Channel |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 540 mA |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 540mA,430mA |
系列 | NTZD3155C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Complementary |
闸/源击穿电压 | +/- 6 V |