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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTZD3154NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTZD3154NT1G价格参考。ON SemiconductorNTZD3154NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 540mA 250mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载NTZD3154NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTZD3154NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 540 mA |
Id-连续漏极电流 | 540 mA |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTZD3154NT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTZD3154NT1G |
Pd-PowerDissipation | 0.25 W |
Pd-功率耗散 | 250 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 700 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 700 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
上升时间 | 4 ns |
下降时间 | 4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | NTZD3154NT1GOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 250mW |
功率耗散 | 0.25 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 700 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 540 mA |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 540mA |
系列 | NTZD3154N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | +/- 6 V |