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Datasheet下载- 型号： NTUD3170NZT5G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTUD3170NZT5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTUD3170NZT5G价格参考。ON SemiconductorNTUD3170NZT5G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 220mA 125mW 表面贴装 SOT-963。您可以下载NTUD3170NZT5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTUD3170NZT5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTUD3170NZT5G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。这种器件主要用于高效电源管理、信号切换和保护电路中，具有低导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关特性，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 NTUD3170NZT5G 的低导通电阻使其非常适合用于高效的电源管理电路中。它可以在电池供电设备、DC-DC转换器、线性稳压器等应用中充当开关元件，减少功率损耗并提高效率。例如，在笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电源管理系统中，该器件可以用于控制电流流向不同负载，确保电源分配的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无人机、电动工具、智能家居设备中的电机控制，NTUD3170NZT5G 可以作为电机驱动电路中的关键组件。它能够承受较高的电流，并且具备快速响应能力，确保电机启动、停止和调速时的平稳运行。此外，其低功耗特性有助于延长电池寿命。 3. 负载切换 该器件常用于需要频繁切换负载的应用中，如汽车电子系统中的灯光控制、座椅调节、车窗升降等。NTUD3170NZT5G 的低导通电阻和快速开关速度使得它能够在短时间内完成负载切换，同时减少热量产生，提高系统的可靠性和安全性。 4. 保护电路 在过流保护、短路保护等电路中，NTUD3170NZT5G 可以用作保护开关。当检测到异常电流时，它可以迅速切断电流路径，防止下游电路受损。例如，在USB充电器、适配器和其他消费电子产品中，该器件可以提供有效的过流和短路保护功能。 5. 便携式设备 由于其小尺寸和低功耗特性，NTUD3170NZT5G 广泛应用于便携式设备中，如可穿戴设备、智能手表、健康监测仪等。这些设备通常对功耗和空间要求严格，而该器件能够在有限的空间内提供高效的电源管理和信号切换功能。 总之，NTUD3170NZT5G 凭借其出色的性能和广泛的适用性，成为许多电子设备中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963MOSFET 20V Trench N-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 220 mA |
| Id-连续漏极电流 | 220 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTUD3170NZT5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTUD3170NZT5G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 25.5 nd |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12.5pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 其它名称 | NTUD3170NZT5GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 142 ns |
| 功率-最大值 | 125mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 封装/箱体 | SOT-963-6 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.48 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 220 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 220mA |
| 系列 | NTUD3170NZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |
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