【晶体管 - FET，MOSFET - 单_NTTFS5826NLTAG】封装/厂家_NTTFS5826NLTAG中文资料_价格

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型号： NTTFS5826NLTAG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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NTTFS5826NLTAG产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTTFS5826NLTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTFS5826NLTAG价格参考。ON SemiconductorNTTFS5826NLTAG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 60V 8A (Ta) 3.1W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)。您可以下载NTTFS5826NLTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTTFS5826NLTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFNMOSFET NFET U8FL 60V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	20 A
Id-连续漏极电流	20 A
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS5826NLTAG-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NTTFS5826NLTAG
Pd-PowerDissipation	1.6 W, 3.1 W, 10 W, 19 W
Pd-功率耗散	19 W
Qg-GateCharge	8.4 nC
Qg-栅极电荷	8.4 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	24 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	24 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.5 V to 3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.5 V to 3 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	850pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	25nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	24 毫欧 @ 7.5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
其它名称	NTTFS5826NLTAGOSCT
功率-最大值	3.1W
功率耗散	1.6 W, 3.1 W, 10 W, 19 W
包装	剪切带（CT）
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	24 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-WDFN 裸露焊盘
封装/箱体	WDFN-8
工厂包装数量	1500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	8.4 nC
标准包装	1
正向跨导-最小值	8 s
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	20 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	8A （Ta）
系列	NTTFS5826NL
配置	Single

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