Datasheet下载- 型号： NTTFS5811NLTWG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTTFS5811NLTWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTFS5811NLTWG价格参考。ON SemiconductorNTTFS5811NLTWG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTTFS5811NLTWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTTFS5811NLTWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFNMOSFET Single N-CH 40V 53A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
| Id-连续漏极电流 | 53 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS5811NLTWG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTTFS5811NLTWG |
| Pd-PowerDissipation | 2.7 W, 33 W |
| Pd-功率耗散 | 2.7 W, 33 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.4 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3x3） |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WDFN-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 正向跨导-最小值 | 24.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Ta）， 53A （Tc） |
| 系列 | NTTFS5811NL |
| 配置 | Single |
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