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Datasheet下载- 型号： NTTFS4824NTAG
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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NTTFS4824NTAG产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTTFS4824NTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTFS4824NTAG价格参考。ON SemiconductorNTTFS4824NTAG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta），69A（Tc） 660mW（Ta），46.3W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）。您可以下载NTTFS4824NTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTTFS4824NTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFNMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 69 A |
| Id-连续漏极电流 | 69 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS4824NTAG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTTFS4824NTAG |
| Pd-PowerDissipation | 4.1 W |
| Pd-功率耗散 | 4.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2363pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 11.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 其它名称 | NTTFS4824NTAGOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 660mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WDFN-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 53 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.3A （Ta）， 69A （Tc） |
| 系列 | NTTFS4824N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
