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  • 型号: NTTFS4821NTAG
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTTFS4821NTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTFS4821NTAG价格参考。ON SemiconductorNTTFS4821NTAG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTTFS4821NTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTTFS4821NTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFNMOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

57 A

Id-连续漏极电流

57 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS4821NTAG-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

NTTFS4821NTAG

Pd-PowerDissipation

4.1 W

Pd-功率耗散

4.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

8.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

22 ns

下降时间

4.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1755pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 11.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-WDFN(3.3x3.3)

其它名称

NTTFS4821NTAGOSDKR

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

660mW

功率耗散

4.1 W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

8.8 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

8-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

WDFN-8

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

53 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

57 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.5A (Ta), 57A (Tc)

系列

NTTFS4821N

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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