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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTTFS4821NTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTFS4821NTAG价格参考。ON SemiconductorNTTFS4821NTAG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTTFS4821NTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTTFS4821NTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFNMOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 57 A |
Id-连续漏极电流 | 57 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS4821NTAG- |
数据手册 | |
产品型号 | NTTFS4821NTAG |
Pd-PowerDissipation | 4.1 W |
Pd-功率耗散 | 4.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.8 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8.8 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 22 ns |
下降时间 | 4.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1755pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 11.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-WDFN(3.3x3.3) |
其它名称 | NTTFS4821NTAGOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 660mW |
功率耗散 | 4.1 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 8.8 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | WDFN-8 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 53 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 57 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A (Ta), 57A (Tc) |
系列 | NTTFS4821N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |