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NTST30100SG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTST30100SG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTST30100SG价格参考¥3.56-¥3.72。ON SemiconductorNTST30100SG封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 通孔 二极管 100V 30A TO-220AB。您可以下载NTST30100SG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTST30100SG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTST30100SG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 Trench 技术的功率 MOSFET。它具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特点,广泛应用于各种电力电子设备中。以下是 NTST30100SG 的主要应用场景: 1. 电源管理 NTST30100SG 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))可以有效降低传导损耗,提高电源转换效率。在这些应用中,MOSFET 作为开关元件,能够快速响应电压和电流的变化,确保系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中,NTST30100SG 可以用于控制电机的启动、停止和调速。由于其具备较高的电流承载能力和快速的开关特性,能够有效地驱动直流电机、步进电机或无刷电机。此外,它还可以用于电机的过流保护和短路保护,确保电机的安全运行。 3. 电池管理系统 NTST30100SG 适用于锂电池、铅酸电池等电池组的充放电管理电路中。它可以作为电池的开关元件,控制电池的充放电过程,防止过充、过放和短路等问题。其低导通电阻有助于减少电池管理系统的功耗,延长电池的使用寿命。 4. 负载切换 在负载切换应用中,NTST30100SG 可以用于实现负载的通断控制。例如,在汽车电子、工业自动化等领域,MOSFET 可以根据系统需求快速切换不同的负载,确保系统的可靠性和安全性。其快速开关特性和低导通电阻使得它在频繁切换的应用中表现出色。 5. 逆变器与 UPS 系统 NTST30100SG 还可用于逆变器和不间断电源(UPS)系统中。在这些系统中,MOSFET 作为功率开关,负责将直流电转换为交流电,或者在市电中断时提供备用电源。其高效的开关性能和低损耗特性有助于提高逆变器和 UPS 的整体效率。 总结 NTST30100SG 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载切换、逆变器和 UPS 等领域。它不仅能够提高系统的效率和稳定性,还能有效降低成本和功耗,成为现代电力电子设备中的重要元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE GEN PURP 100V 30A TO220AB肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifiers 100V 30A |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor NTST30100SG- |
数据手册 | |
产品型号 | NTST30100SG |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 950mV @ 30A |
不同 Vr、F时的电容 | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1mA @ 100V |
二极管类型 | 标准 |
产品 | Schottky Rectifiers |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | NTST30100SG-ND |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
峰值反向电压 | 100 V |
工作温度-结 | -40°C ~ 150°C |
工作温度范围 | - 40 C to + 150 C |
工厂包装数量 | 50 |
技术 | Silicon |
最大工作温度 | + 150 C |
最大浪涌电流 | 60 A |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 50 |
正向连续电流 | 30 A |
热阻 | 2°C/W Jc |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 100V |
电流-平均整流(Io) | 30A |
系列 | NTST30100SG |
速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |