ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列 > NTSB30100CTG
Datasheet下载- 型号： NTSB30100CTG
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTSB30100CTG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTSB30100CTG价格参考￥2.81-￥3.58。ON SemiconductorNTSB30100CTG封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 15A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB。您可以下载NTSB30100CTG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTSB30100CTG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTSB30100CTG 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款二极管整流器阵列，主要应用于需要高效、低损耗整流的电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理：NTSB30100CTG 适用于各种电源管理系统，例如开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器等。它能够在这些系统中提供高效的整流功能，减少功率损耗，提高整体效率。 2. 电池充电和保护：在电池充电电路中，NTSB30100CTG 可以用于防止电流反向流动，确保电池安全充电。此外，它还可以用于电池保护电路，防止过充或过放等问题。 3. 逆变器和电机驱动：在逆变器和电机驱动应用中，NTSB30100CTG 能够处理大电流和高频率的切换需求，确保系统的稳定性和可靠性。它的低正向电压降特性有助于减少发热，延长设备寿命。 4. 通信设备：在通信设备中，如基站、路由器等，NTSB30100CTG 可以用于电源模块中的整流部分，确保稳定的电源供应，同时降低功耗和热量生成。 5. 汽车电子：在汽车电子系统中，如车载充电器、LED 照明、电动助力转向系统（EPS）等，NTSB30100CTG 提供了可靠的整流解决方案，适应严苛的工作环境，确保车辆电子系统的正常运行。 6. 工业自动化：在工业自动化领域，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等，NTSB30100CTG 的高性能整流能力可以满足复杂工况下的电力需求，提升系统的响应速度和稳定性。 总之，NTSB30100CTG 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类需要高效整流的场景，特别适合对功耗和散热有较高要求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 15A D2PAK-3肖特基二极管与整流器 |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor NTSB30100CTG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTSB30100CTG |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 850mV @ 15A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 100V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTSB30100CTGOS |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | Silicon |
| 最大浪涌电流 | 60 A |
| 标准包装 | 50 |
| 正向连续电流 | 30 A |
| 热阻 | 2.5°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 100V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 15A |
| 系列 | NTST30100CTG |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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