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Datasheet下载- 型号： NTR4503NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR4503NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR4503NT1G价格参考。ON SemiconductorNTR4503NT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 1.5A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载NTR4503NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTR4503NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTR4503NT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件广泛应用于多种电力电子电路中，因其低导通电阻、高开关速度和出色的热性能而备受青睐。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 NTR4503NT1G 常用于各种电源管理电路中，如 DC-DC 转换器、线性稳压器和开关模式电源（SMPS）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源效率，适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的充电电路。 2. 电机驱动 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，特别是在需要精确控制电流和电压的应用中。例如，它可以在无人机、机器人、智能家居设备的电机控制系统中发挥重要作用，提供高效且可靠的开关功能。 3. 负载开关 在许多电子设备中，NTR4503NT1G 可用作负载开关，以实现对不同负载的快速接通和断开操作。它能够有效地保护电路免受过流、短路等异常情况的影响，常用于 USB 充电端口、电池管理系统（BMS）等场景。 4. 信号切换 MOSFET 的高速开关特性使其非常适合用于信号切换应用。NTR4503NT1G 可以在音频设备、传感器接口等场合中作为模拟开关或数字开关，确保信号的准确传输和隔离。 5. 保护电路 该器件还可以用于设计过流保护、过温保护等安全机制。通过检测电流或温度的变化，MOSFET 可以迅速切断电路，防止潜在的损坏。这种功能在汽车电子、工业控制等领域尤为重要。 6. 电池管理系统 在电池管理系统中，NTR4503NT1G 可用于电池充放电控制，确保电池在安全的工作范围内运行。它能够有效管理电池的充电和放电过程，延长电池寿命并提高系统可靠性。 总之，NTR4503NT1G 凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23MOSFET 30V 2.5A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR4503NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTR4503NT1G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.73 W |
| Pd-功率耗散 | 730 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 105 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 105 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5.8 ns, 6.7 ns |
| 下降时间 | 5.8 ns, 6.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NTR4503NT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns, 13.6 ns |
| 功率-最大值 | 420mW |
| 功率耗散 | 0.73 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 105 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 2.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Ta） |
| 系列 | NTR4503N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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