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  • 型号: NTR3A30PZT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTR3A30PZT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR3A30PZT1G价格参考¥1.27-¥1.27。ON SemiconductorNTR3A30PZT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTR3A30PZT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTR3A30PZT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-InputCapacitance

1651 pF

Ciss-输入电容

1651 pF

描述

MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 5.5 A

Id-连续漏极电流

- 5.5 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR3A30PZT1G-

mouser_ship_limit

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产品型号

NTR3A30PZT1G

Pd-PowerDissipation

0.48 W

Pd-功率耗散

480 mW

Qg-GateCharge

17.6 nC

Qg-栅极电荷

17.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

38 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

38 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.65 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.65 V

上升时间

208 ns

下降时间

552 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1651pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

38 毫欧 @ 3A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

*

典型关闭延迟时间

1043 ns

功率-最大值

480mW

包装

*

商标

ON Semiconductor

安装类型

*

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

*

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

30 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Ta)

系列

NTR3A30PZ

配置

Single

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