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Datasheet下载- 型号： NTR1P02LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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NTR1P02LT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR1P02LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR1P02LT1G价格参考。ON SemiconductorNTR1P02LT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 1.3A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载NTR1P02LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTR1P02LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTR1P02LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该元器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，适用于多种电源管理和信号切换应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 NTR1P02LT1G 可用于各种电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。它能够高效地控制电流的通断，确保电源系统稳定工作。由于其低导通电阻特性，可以减少功率损耗，提高系统的整体效率。 2. 负载开关 在需要频繁切换负载的应用中，NTR1P02LT1G 可作为负载开关使用。例如，在消费电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，它可以用来控制不同模块的供电，实现节能和保护功能。 3. 电机驱动 该 MOSFET 还可用于小型电机驱动电路中，如步进电机、直流电机等。通过精确控制栅极电压，可以实现对电机转速和方向的调节。此外，其快速开关特性有助于减少电机启动时的冲击电流，延长电机寿命。 4. 电池保护电路 在电池管理系统中，NTR1P02LT1G 可以用作电池保护开关。当检测到过充、过放或短路等异常情况时，MOSFET 可迅速切断电路，防止电池损坏或发生危险。 5. 信号隔离与传输 在一些需要电气隔离的应用场景中，NTR1P02LT1G 可用于信号传输路径的控制。例如，在工业自动化控制系统中，它可以隔离不同电压等级的信号，确保系统的安全性和稳定性。 6. 便携式设备 由于其体积小、功耗低的特点，NTR1P02LT1G 在便携式设备中也有广泛应用。如可穿戴设备、智能手表等，它可以有效管理设备内部的电源分配，延长电池续航时间。 总之，NTR1P02LT1G 凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域，尤其适合对功耗和效率有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTR1P02LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 750mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NTR1P02LT1GOS |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A （Ta） |
