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  • 型号: NTR1P02LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTR1P02LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTR1P02LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR1P02LT1G价格参考。ON SemiconductorNTR1P02LT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 1.3A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NTR1P02LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTR1P02LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的NTR1P02LT1G是一款单通道增强型P沟道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电子设备和电路中。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
   NTR1P02LT1G常用于电源管理系统,特别是在需要高效开关控制的应用中。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在导通状态下能够减少功率损耗,提高系统的整体效率。常见的应用包括:
   - 负载开关:用于控制不同负载之间的电源切换,确保系统在不同工作模式下的稳定供电。
   - 电池管理系统:用于保护电池免受过充、过放等异常情况的影响,同时实现高效的充电和放电控制。

 2. 电机控制
   在小型电机控制系统中,NTR1P02LT1G可以作为驱动元件,用于控制电机的启停和转速。其快速开关特性和较低的导通损耗使其适合于需要频繁开关操作的场合,如:
   - 风扇控制:用于调节风扇的转速,以适应不同的散热需求。
   - 微型电机驱动:如无人机、机器人等设备中的小功率电机控制。

 3. 信号调理
   NTR1P02LT1G还可以用于信号调理电路中,特别是在需要对模拟信号进行隔离或缓冲的场合。其高输入阻抗和低输出阻抗特性使其成为理想的信号传输元件,适用于:
   - 传感器接口:用于将传感器信号与后续处理电路隔离,防止信号干扰。
   - 信号放大器:用于放大弱电信号,同时保持信号的完整性。

 4. 保护电路
   由于其出色的反向电流阻断能力,NTR1P02LT1G常用于各种保护电路中,防止电流反向流动或过载损坏其他元件。具体应用包括:
   - 反向电压保护:防止电源极性接反时对电路造成损害。
   - 过流保护:通过检测电流大小,自动切断电源以保护下游电路。

 5. 便携式设备
   该器件的小封装尺寸和低功耗特性使其非常适合用于便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它可以用于这些设备中的电源管理和信号处理模块,帮助延长电池寿命并提高系统的可靠性。

总之,NTR1P02LT1G凭借其优异的性能和广泛的适用性,在电源管理、电机控制、信号调理、保护电路等领域有着广泛的应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTR1P02LT1G

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.25V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

225pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.5nC @ 4V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

220 毫欧 @ 750mA,4.5V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

NTR1P02LT1GOS
NTR1P02LT1GOS-ND
NTR1P02LT1GOSCT

功率-最大值

400mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.3A (Ta)

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