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NTR0202PLT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR0202PLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR0202PLT1G价格参考。ON SemiconductorNTR0202PLT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 400mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NTR0202PLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTR0202PLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTR0202PLT1G是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号属于增强型n沟道MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种应用场景。 应用场景: 1. 电源管理: NTR0202PLT1G常用于电源管理系统中,如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率,特别适合低压、大电流的应用场合。例如,在笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路中,它可以作为同步整流器或负载开关使用。 2. 电机驱动: 该器件适用于小型直流电机驱动,如风扇、泵和小型机器人中的电机控制。通过PWM(脉宽调制)信号控制MOSFET的开关状态,可以实现对电机速度和方向的精确调节。由于其快速开关特性和低功耗,能够有效延长电池寿命并提高系统响应速度。 3. 负载开关: 在便携式电子设备中,NTR0202PLT1G可以用作负载开关,用于控制不同模块的供电状态。例如,在移动设备中,它可以帮助管理系统在待机模式下切断某些非必要组件的电源,从而降低整体功耗,延长电池续航时间。 4. 保护电路: MOSFET还可以用于过流保护、短路保护等电路设计。当检测到异常电流时,MOSFET可以迅速切断电路,防止损坏其他敏感元件。此外,它还可以与温度传感器配合,实现过热保护功能。 5. 音频放大器: 在一些低功率音频放大器中,NTR0202PLT1G可以作为输出级驱动扬声器。其快速开关特性和低噪声特性有助于提供清晰、稳定的音频输出,同时保持较低的功耗。 6. 通信设备: 在无线通信模块和其他射频设备中,MOSFET可用于信号切换和天线调谐。其低电容和快速响应特性使其成为这些高频应用的理想选择。 总之,NTR0202PLT1G凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域,为各种电路设计提供了高效、可靠的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23MOSFET -20V -400mA P-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 400 mA |
Id-连续漏极电流 | - 400 mA |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR0202PLT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTR0202PLT1G |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.225 W |
Pd-功率耗散 | 225 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 6 ns |
下降时间 | 6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 70pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 200mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | NTR0202PLT1GOS |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 0.225 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 550 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 0.5 S |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | - 400 mA |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 400mA (Ta) |
系列 | NTR0202PL |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |