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  • 型号: NTR0202PLT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTR0202PLT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTR0202PLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR0202PLT1G价格参考。ON SemiconductorNTR0202PLT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 400mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NTR0202PLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTR0202PLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTR0202PLT1G是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号属于增强型n沟道MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种应用场景。

 应用场景:

1. 电源管理:
   NTR0202PLT1G常用于电源管理系统中,如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率,特别适合低压、大电流的应用场合。例如,在笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路中,它可以作为同步整流器或负载开关使用。

2. 电机驱动:
   该器件适用于小型直流电机驱动,如风扇、泵和小型机器人中的电机控制。通过PWM(脉宽调制)信号控制MOSFET的开关状态,可以实现对电机速度和方向的精确调节。由于其快速开关特性和低功耗,能够有效延长电池寿命并提高系统响应速度。

3. 负载开关:
   在便携式电子设备中,NTR0202PLT1G可以用作负载开关,用于控制不同模块的供电状态。例如,在移动设备中,它可以帮助管理系统在待机模式下切断某些非必要组件的电源,从而降低整体功耗,延长电池续航时间。

4. 保护电路:
   MOSFET还可以用于过流保护、短路保护等电路设计。当检测到异常电流时,MOSFET可以迅速切断电路,防止损坏其他敏感元件。此外,它还可以与温度传感器配合,实现过热保护功能。

5. 音频放大器:
   在一些低功率音频放大器中,NTR0202PLT1G可以作为输出级驱动扬声器。其快速开关特性和低噪声特性有助于提供清晰、稳定的音频输出,同时保持较低的功耗。

6. 通信设备:
   在无线通信模块和其他射频设备中,MOSFET可用于信号切换和天线调谐。其低电容和快速响应特性使其成为这些高频应用的理想选择。

总之,NTR0202PLT1G凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域,为各种电路设计提供了高效、可靠的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23MOSFET -20V -400mA P-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 400 mA

Id-连续漏极电流

- 400 mA

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR0202PLT1G-

数据手册

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产品型号

NTR0202PLT1G

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.225 W

Pd-功率耗散

225 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

550 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

550 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

6 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

70pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

800 毫欧 @ 200mA,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

NTR0202PLT1GOS
NTR0202PLT1GOS-ND
NTR0202PLT1GOSCT

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

225mW

功率耗散

0.225 W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

550 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

0.5 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 400 mA

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

400mA (Ta)

系列

NTR0202PL

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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