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Datasheet下载- 型号： NTP2955G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NTP2955G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP2955G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP2955G价格参考。ON SemiconductorNTP2955G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 60V 2.4A（Ta） 2.4W（Ta），62.5W（Tc） TO-220AB。您可以下载NTP2955G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTP2955G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CHAN 12A 60V TO220ABMOSFET -60V -12A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTP2955G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTP2955G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 156 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 156 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 41 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 196 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | NTP2955G-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 功率耗散 | 2.4 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 156 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Ta） |
| 系列 | NTP2955 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
