Datasheet下载- 型号： NTNS3193NZT5G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTNS3193NZT5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTNS3193NZT5G价格参考。ON SemiconductorNTNS3193NZT5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTNS3193NZT5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTNS3193NZT5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTNS3193NZT5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：用于 DC-DC 转换器、降压或升压电路中，作为主开关元件实现高效的电压转换。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电路的开启与关闭，同时减少功耗和发热。 - 电池管理系统 (BMS)：用于锂离子电池保护电路中，防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：如风扇、泵、玩具电机等，通过 PWM（脉宽调制）信号控制电机速度和方向。 - H 桥电路：在双向电机驱动应用中，MOSFET 可作为 H 桥的一部分，实现电机正转和反转。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于充电管理、音频放大器供电以及背光驱动。 - 笔记本电脑适配器：在 AC-DC 或 DC-DC 转换模块中，作为功率开关提高效率。 4. 工业自动化 - 传感器接口：用于驱动工业传感器或执行器，提供稳定的电流输出。 - 继电器替代：利用 MOSFET 的快速开关特性，替代传统机械继电器以降低噪音并延长寿命。 5. 汽车电子 - LED 照明驱动：为汽车内部和外部 LED 灯提供高效驱动。 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器、显示屏背光和其他辅助功能。 6. 通信设备 - 基站电源：在通信基站的电源模块中，作为功率开关提高能源利用率。 - 网络设备：如路由器、交换机中的电源管理和信号调节。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：减少传导损耗，提高系统效率。 - 高频率操作能力：适合高频开关应用，降低电磁干扰 (EMI)。 - 紧凑封装：节省 PCB 空间，便于小型化设计。 总之，NTNS3193NZT5G 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费类电子产品、工业设备、汽车电子和通信领域，是高性能电力转换和控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 230MA XLLGA3MOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 224 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTNS3193NZT5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTNS3193NZT5G |
| Pd-PowerDissipation | 120 mW |
| Pd-功率耗散 | 120 mW |
| Qg-GateCharge | 0.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.7 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | + /- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | + /- 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15.8pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 100mA， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 201 ns |
| 功率-最大值 | 120mW |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | XLLGA-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 224 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 224mA （Ta） |
| 系列 | NTNS3193NZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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