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  • 型号: NTMSD3P303R2G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMSD3P303R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMSD3P303R2G价格参考。ON SemiconductorNTMSD3P303R2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMSD3P303R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMSD3P303R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

产品型号

NTMSD3P303R2G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

FETKY™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

750pF @ 24V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

85 毫欧 @ 3.05A,10V

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

NTMSD3P303R2GOS

功率-最大值

730mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.34A (Ta)

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