ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTMFS5832NLT1G
Datasheet下载- 型号： NTMFS5832NLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS5832NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS5832NLT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS5832NLT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 20A（Ta），111A（Tc） 3.1W（Ta），96W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）。您可以下载NTMFS5832NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS5832NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS5832NLT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类，具有广泛的应用场景，尤其适用于需要高效能、低功耗和高可靠性的电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 NTMFS5832NLT1G 常用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器等。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以在高电流应用中减少功率损耗，提高转换效率，降低发热，从而延长设备的使用寿命。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中，NTMFS5832NLT1G 可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻使其非常适合用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机控制系统中。 3. 消费电子产品 该型号广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能穿戴设备等。在这些设备中，NTMFS5832NLT1G 主要用于电源管理模块、负载开关、电池保护电路等，确保设备在不同工作状态下保持高效运行。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，NTMFS5832NLT1G 可用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器、变频器等设备中。它能够承受较高的电压和电流波动，提供稳定的开关性能，确保工业设备的可靠性和安全性。 5. 汽车电子 NTMFS5832NLT1G 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）等。其出色的抗电磁干扰能力和宽温度范围（-55°C 至 +175°C）使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 6. 通信设备 在通信基站、路由器、交换机等设备中，NTMFS5832NLT1G 可用于电源管理和信号处理电路中，确保设备在长时间运行时保持高效和稳定。 总之，NTMFS5832NLT1G 凭借其优异的电气特性、可靠的性能和广泛的适用性，成为许多高性能电子设备中的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FLMOSFET NFET SO8FL 40V 110A 4.2MO |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS5832NLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS5832NLT1G |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 5-DFN， 8-SO 扁引线 （5x6） |
| 其它名称 | NTMFS5832NLT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN， 5 引线 |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 21 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta）， 111A （Tc） |
| 系列 | NTMFS5832NL |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
