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Datasheet下载- 型号： NTMFS4C08NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4C08NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4C08NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4C08NT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），52A（Tc） 760mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）。您可以下载NTMFS4C08NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4C08NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4C08NT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它属于单个 FET 类别，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理：NTMFS4C08NT1G 适用于各种电源管理系统，如 DC-DC 转换器、线性稳压器和开关模式电源（SMPS）。其低导通电阻（Rds(on)）可以减少功率损耗，提高效率，特别适合需要高效能和小尺寸设计的应用。 2. 电机驱动：在电机控制电路中，这款 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。其快速开关特性和低导通电阻有助于降低发热，延长器件寿命，并提高系统的响应速度和精度。 3. 电池保护电路：在锂电池或其他可充电电池的保护电路中，NTMFS4C08NT1G 可以用作开关元件，防止过充、过放或短路等异常情况。其低导通电阻减少了电池内阻，提高了电池的整体性能和安全性。 4. 负载切换：在需要频繁切换负载的应用中，如汽车电子、工业自动化设备等，NTMFS4C08NT1G 可以作为高效的负载开关，确保系统稳定运行并减少能量损失。 5. 通信设备：在通信基站、路由器和其他网络设备中，这款 MOSFET 可用于电源管理和信号处理电路，提供可靠的开关功能和低噪声特性，确保通信质量。 6. 消费电子产品：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，NTMFS4C08NT1G 可用于电源管理单元（PMU），实现高效节能，延长电池续航时间。 总之，NTMFS4C08NT1G 凭借其出色的电气性能和可靠性，在多个领域有着广泛的应用前景，特别是在对效率和空间要求较高的电力电子系统中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NTMFS4C08NT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1113pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 760mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta）， 52A （Tc） |
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